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材料科学基础(6-1) 塑性变形(1)

金属的应力-应变曲线;单晶体的塑性变形

金属的应力-应变曲线

弹性模量($E与G$)是原子间结合力的反应和度量,是组织不敏感量。

单晶体的塑性变形

滑移线:晶体滑移后在表面产生的台阶,这些台阶在电镜下呈现出一系列的直线。
滑移带:抛光金属表面经塑性变形后产生的平行或成一定角度的线条。

滑移带由聚集在一起的相互平行的滑移线组成。

  • 滑移变形晶体的结构类型并没有发生改变,滑移线两侧的晶向也没有变。
  • 滑移分布不均匀,只集中在某些晶面。

滑移系

一个滑移面和该面上一个滑移方向组成一个滑移系。

  • 滑移面总是密排面,滑移方向是密排方向。
    (密排面之间间距大,滑移阻力小;密排方向原子密度大,移动距离短)

临界分切应力

滑移在切应力作用下发生。晶体中某些滑移系是否滑动,取决于该方向上的分切应力是否达到临界值。
若拉伸轴与滑移面法向夹角$\varphi$,与滑移方向夹角$\lambda$

$$ \tau_k=\tau_s\cos\varphi\cos\lambda $$

$$ m=\cos\varphi\cos\lambda $$

$$ \tau_k=\sigma_sm\ 或\ \sigma_s=\frac{\tau_k}{m} $$

其中m称为取向因子(施密特因子)。m越大,分切应力越大,约有利于滑移。

$\tau_k$取决于金属的本性,与外力等因素无关。
取向因子m小时为硬取向,大时为软取向。
当$\varphi$或$\lambda=90^\circ$时,$\sigma\rightarrow\infty$,晶体无法滑移;
当$\varphi$或$\lambda=45^\circ$时,$\sigma最小$,晶体容易滑移。
滑移面很少时,取向因子m对$\sigma_s$的影响较大,如hcp晶体。

滑移时的转动

  • 无约束情况下,滑移面与滑移方向均不变,所以滑移后晶体位向均不变但拉伸轴线必然发生偏移。
  • 若有夹头限制,拉伸轴线不能移动,则晶面将相应转动,造成晶体位向改变。
  • 拉伸时晶面转动使滑移面逐渐趋于与压力轴线平行,压缩时晶面转动使滑移面逐渐趋于与压力轴线垂直。

几何硬化:处于软取向的滑移系因晶体转动,$\varphi$越来越小,m越来越小,滑移越来越困难。几何软化反之。

表面痕迹

  • 单滑移:只有一组滑移系取向最有利,出现一组平行的单一方向的滑移带
  • 多滑移:多个滑移系同时或相继达到最有利位置,出现多组相互交叉的滑移带
  • 交滑移:晶体在两个或多个不同滑移面上沿同一滑移方向进行的滑移。出现波纹状的滑移带
    只有螺位错可以交滑移。bcc材料容易交滑移,层错能高的材料容易交滑移。

滑移的位错机制

晶体的滑移时通过位错的运动实现的。

  • 当一个位错移动到晶体表面时,就会在表面留下一个原子间距的滑移台阶,其大小等于柏氏矢量。
  • 滑移线实质时大量位错滑过晶体后在表面留下的痕迹。因此可以将滑移线看成是晶体中已滑移区与未滑移区的分界线。

孪生

在切应力作用下,晶体的一部分相对另一部分沿一定的晶面(孪晶面)和晶向(孪生方向)发生均匀切变并形成晶体取向的晶面对称关系。

  • 均匀切变区的晶体结构不变,只是取向改变,与未切变区构成晶面对称。
  • 孪生变形所得到成晶面对称的晶体称为孪晶。

孪生时每层晶面的位移是借一个不全位错的移动造成的,每层晶面的位移量与其距孪晶面的距离成正比。

晶体结构孪生面孪生方向
面心立方{111}<112>
体心立方{112}<111>
密排六方{$10\bar 12$}<$10\bar 11$>
滑移形变
晶体位向不改变 (对抛光面观察无重现性)改变,形成镜面对称关系 (有重现性)
变形方式集中在一些滑移面上均匀变形
位移量滑移方向上原子间距的整数倍,较大小于形变方向上的原子间距,较小
对塑变贡献很大,总变形量大有限,总变形量小
变形应力有一定临界分切应力所需$\tau_k$远高于滑移
变形条件一般先发生滑移滑移困难时发生形变
变形机制全位错运动的结果不全位错运动的结果
相同点1. 切变; 2. 沿特定晶面、晶向进行;3. 不改变结构

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